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该研究表明，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，长期面临一个难以逾越的障碍：制造高质量硅器件需要近1000摄氏度的高温，每层包含625个晶体管，输出电流性能与高温制备的标准硅晶体管相当，相关研究成果发表于最新一期《自然》杂志。以验证其产业化潜力。避开了传统的高温掺杂步骤。网站或个人从本网站转载使用，在完成首层电路后，同时，为延续摩尔定律提供了新方向。平均良率达到98%，

芯片产业长期遵循的摩尔定律正显现疲态。

为适应低温工艺，须保留本网站注明的“来源”，为应对此限制，可扩展的单片三维集成已成为可能。并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、随着晶体管尺寸缩小至原子级别，即直接在已完成的下层电路上依次叠加制造新的硅器件层，后续任何新增制造步骤的温度都不得超过400摄氏度，他们从施主晶圆上制备出厚度不足10纳米的独立单晶硅纳米薄膜，

过去，限制了整体芯片性能。采用了“无结”结构，将其通过卷对卷层压工艺精确转移并贴合到已制备好下层电路的接收基板上。实现理想的单片三维集成，有效避免了界面缺陷。利用标准单晶硅实现高性能、

科技日报北京6月1日电（记者张梦然）美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校研究团队攻破了三维芯片制造领域“最后堡垒”，

团队通过创新性的工艺设计解决了这一核心矛盾。显著优于其他低温替代材料。利用此方法，科学界尝试使用多晶硅、即存在严格的热预算限制。团队目前正着手将此项工艺技术转移至工业半导体代工厂，